ALD210800ASCL

Advanced Linear Devices
585-ALD210800ASCL
ALD210800ASCL

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Advanced Linear Devices
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-16
N-Channel
4 Channel
10.6 V
80 mA
25 Ohms
- 12 V, 12 V
20 mV
0 C
+ 70 C
500 mW
Enhancement
Tube
Marca: Advanced Linear Devices
Configuración: Quad
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: ALD210800A
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 4 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 10 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
Peso de la unidad: 666 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays - INACTIVE

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays are precision matched at the factory using ALD's proven EPAD® CMOS technology. These quad monolithic devices are enhanced additions to the ALD110800A/ALD110800 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconductance and output conductance, particularly at very low supply voltages. Intended for low voltage, low power small signal applications, the ALD210800/ALD210800A features Zero-Threshold™ voltage, which enables circuit designs with input/output signals referenced to GND at enhanced operating voltage ranges. With these devices, a circuit with multiple cascading stages can be built to operate at extremely low supply/bias voltage levels.
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